英飞凌推第六代650V碳化硅肖特基二极管

  肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种属-半导体器件。肖特基二极管的基本结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖基触层和欧姆接触层。

  据悉，英飞凌科技股份公司推出第六代650V CoolSiC肖特基二极管，是CoolSiC二极管产品系列的最新成员。它立足于第五代产品与众不同的特性，能确?？煽啃?、质量并提高效率。CoolSiC G6二极管是对600 V和650V CoolMOS 7产品系列的完美补充。它们面向当前和未来的服务器和PC电源、电信设备电源和光伏逆变器应用。
  第六代650 V CoolSiC肖特基二极管采用全新布局以及全新专有肖特基金属系统，内部结构也与上代产品完全不同。其结果就是树立行业标杆VF(1.25 V)，以及比上一代产品低17%的Qc x VF 优质系数(FOM)。此外，新推出的第六代全新二极管充分发挥碳化硅的强大特性——独立于温度的开关性能和没有反向恢复电荷。
  该器件的设计有助于在所有负载条件下提高效率，同时提高系统功率密度。因此， 第六代650 V CoolSiC肖特基二极管具备降低散热要求、提高系统可靠性和极快开关速度等诸多优势。新款器件是具备最佳性价比的新一代碳化硅二极管产品。
  SBD 在导通过程中没有额外载流子的注入和储存，因而反向恢复电流小，关断过程很快，开关损耗小。传统的硅肖特基二极管，由于所有金属与硅的功函数差都不很大，硅的肖特基势垒较低，硅 SBD 的反向漏电流偏大，阻断电压较低，只能用于一二百伏的低电压场合且不适合在 150 ℃以上工作。然而，碳化硅 SBD弥补了硅 SBD 的不足，许多金属，例如镍、金、钯、钛、钴等，都可以与碳化硅形成肖特基势垒高度 1 eV 以上的肖特基接触。据报道，Au/4H-SiC 接触的势垒高度可达到 1.73 eV，Ti/4H-SiC 接触的势垒比较低，但最高也可以达到 1.1 eV。6H-SiC与各种金属接触之间的肖特基势垒高度变化比较宽，最低只有 0.5 eV，最高可达1.7 eV。于是，SBD 成为人们开发碳化硅电力电子器件首先关注的对象。它是高压快速与低功率损耗、耐高温相结合的理想器件。



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